硅中自旋量子比特跃迁：电子穿梭于静止电子上方的动力学

研究人员利用谷自由度，让移动自旋量子比特在硅中低谷分裂区域穿过一个被占据的静止量子点，以跃迁方式越过其中的静止电子。模拟显示，该方案可增加电子迁移路径，并在穿梭过程中实现纠缠的 SWAP$^\gamma$ 两比特门，为利用量子处理器芯片上的不稳定区域提供了一种可能方案。