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arXiv · Strongly Correlated Electrons· Benedikt Fauseweh·· 11 小时前

超导量子处理器上的局部纠错延长离散时间晶体记忆

Local error correction prolongs time-crystalline memory

arXiv:2610.18124v1阅读论文 PDF ↗

仅依据论文摘要整理;未读取全文,实验条件、证明与基准细节请核对原文。

作者:Benedikt Fauseweh

研究任务与主要进展

作者在超导量子处理器上对驱动、空间无序的二维伊辛模型施加随机局部位翻转纠错,使时间晶体记忆衰减时间最高延长一倍。该实验采用蜂窝晶格上的距离三和距离五重复码,最多涉及68个物理比特;晚期恢复稳定了晶格的空间秩序,而仅进行综合征测量而不校正会加速记忆衰减。

阶段、条件与复现 · 深读核对

  • 理论、模拟、逻辑存储实验还是逻辑门演示?
  • 码距、轮次、逻辑误差口径与后选择条件是什么?
  • 译码延迟、资源开销与容错扩展路径是否给出?

这些是阅读核对问题;材料未说明的条件保留未知。请结合上方论文版本、资料范围与原文核验。

来源:arXiv · Strongly Correlated Electrons · arxiv.org