arXiv · quant-ph· Francisca Vasconcelos·· 10 天前精选
《Depth-Optimal Quantum Compilation》提出任意单量子比特门合成的常深度电路
Depth-Optimal Quantum Compilation
arXiv:2609.34659v1阅读论文 PDF ↗
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作者：Francisca Vasconcelos
首次提交：2026-09-28 17:01
研究任务与主要进展
作者提出无需预供催化剂的任意单量子比特门合成方法：在对数宽度的广义Toffoli门下可实现常深度电路，并仅使用Hadamard、T和广义Toffoli门即可消除Fan-Out。
阶段、条件与复现 · 深读核对
- 任务输出与输入访问模型是什么？
- 在什么假设、规模与资源条件下成立？
- 与哪种经典基线比较，是否计入编码与读出？
这些是阅读核对问题；材料未说明的条件保留未知。请结合上方论文版本、资料范围与原文核验。
本站判断
论文的核心增量是把任意单量子比特门合成的深度与辅助资源联系起来：允许对数宽度的多量子比特门时可达到常深度，而在标准有界宽度门模型下，作者报告了匹配的Θ(log log(1/ε))深度下界。其对浅层量子电路复杂性及QAC与Forrelation关系的影响目前仅依据论文摘要，关键条件是门宽度、辅助比特和误差定义的口径。本站设想：可在统一误差、辅助比特和多量子比特门成本口径下，对两类门模型的端到端资源进行比较。
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