arXiv · Materials Science· Aurora Teien, Maria Mendes Martins, Andreas Gottscholl, Axel Erlebach, Piyush Kumar, Erlend Lemva Ousdal, Viktor Bobal, Augustinas Galeckas, Thomas Prokscha, Hannes Kraus, Corey J. Cochrane, Ulrike Grossner, Lasse Vines, Marianne Etzelm\"uller Bathen·· 5 小时前
4H-SiC硅空位研究揭示镍接触会扰动缺陷自旋并抑制四重态发光
Device contacts as spin-state selectors for silicon vacancies in 4H-SiC
arXiv:2609.22845v2阅读论文 PDF ↗
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作者：Aurora Teien, Maria Mendes Martins, Andreas Gottscholl, Axel Erlebach, Piyush Kumar, Erlend Lemva Ousdal, Viktor Bobal, Augustinas Galeckas, Thomas Prokscha, Hannes Kraus, Corey J. Cochrane, Ulrike Grossner, Lasse Vines, Marianne Etzelm\"uller Bathen
研究任务与主要进展
基于论文摘要，研究以4H-SiC中的硅空位为模型，发现常用镍接触会扰动缺陷自旋并抑制其四重态发光。低能μ子自旋旋转显示，镍接触造成的磁性污染区域至少深入SiC约110 nm；高缺陷密度样品的截面阴极发光进一步显示，镍接触下方500 nm内的四重态发光受到抑制，并出现与自旋双重态发光一致的信号，而Ti和Al等非磁性接触中未出现该信号。
阶段、条件与复现 · 深读核对
- 处于计划、宣布、开放、交付还是实测阶段？
- 门、读出、互连与系统能力的指标如何定义？
- 访问条件、扩展瓶颈和独立验证材料是什么？
这些是阅读核对问题；材料未说明的条件保留未知。请结合上方论文版本、资料范围与原文核验。
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