研究揭示Si/SiGe自旋穿梭速度区间

基于论文摘要，研究者分析了移动量子点在Si/SiGe异质结构中的自旋穿梭与谷态动力学，发现谷态演化存在三种速度依赖区间，其中速度处于数十米每秒量级的区间即使发生谷激发，也可保留量子信息。 作者称，这些区间有助于抑制自旋—谷热点和空间不均匀自旋分裂造成的退相干，并提出基于部分Landau–Zener模型的保真度增强策略；该策略的效率高于此前采用标准Landau–Zener模型的方案，相关结果目前仅见于论文摘要。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。