hBN 中电子束制备 B 中心定位精度量化为 40 nm
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hBN 中电子束制备 B 中心定位精度量化为 40 nm
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AI 综述
A. Núñez Marcos 等在 arXiv 发布论文，量化了用扫描电子显微镜（SEM）电子束辐照在 hBN 中制备 B 中心单光子发射体的定位精度：总位置标准偏差为 40 nm，其中电子束与发光体产生时的相互作用空间范围是主要限制因素，贡献 27 nm 标准偏差。 研究人员在 SEM 中利用原位阴极发光（CL）监测，在预定位置逐一制备 B 中心阵列。B 中心可重复地在 436 nm 发光。论文摘要指出，发射紫外光的碳二聚体前驱体的有限密度等因素进一步扩大了整体位置误差至 40 nm。以上内容基于论文摘要，本站未核验全文。
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最新进展10月14日 12:00
电子束辐照在 hBN 中制备 B 中心的位置精度达到 40 nm 标准偏差报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- arXiv · quant-ph电子束辐照在 hBN 中制备 B 中心的位置精度达到 40 nm 标准偏差
研究人员在扫描电子显微镜中利用原位阴极发光监测，制备了个别 hBN B 中心并测量其定位误差。基于论文摘要，电子束与发光体产生时的相互作用空间范围是主要限制因素，贡献 27 nm 标准偏差；碳二聚体前驱体密度等因素使总体位置标准偏差达到 40 nm。
本事件热度走势
- 可比范围当前
- 4
- 可比范围峰值
- 810月14日 20:00
- 近 24 小时变化
- -49%
02468
10月15日06:0012:0018:00
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