Se/ZnMgO光电二极管实现波长选择性双向视觉突触
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Se/ZnMgO光电二极管实现波长选择性双向视觉突触
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AI 综述
京都大学等机构的Zacharie Jehl Li-Kao等人在arXiv发布论文，报告Se/ZnMgO薄膜光电二极管在零偏压下以光电流写入并读出突触权重，光子能量单独决定权重变化方向：相同光子通量下，365 nm脉冲使光电流增加38%，455 nm脉冲使其降低，高光子通量下降低幅度达30%，每个分支最多可区分19个状态。存储状态可被反向偏压（电压依赖方式）和亚带隙光擦除。 基于实测权重更新的网络在手写数字识别中，无噪声和有噪声条件下准确率分别为89%和85%，低于浮点权重的97.5%。以上为论文摘要报告的内容。
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最新进展10月16日 12:00
Se/ZnMgO薄膜光电二极管实现波长选择性双向视觉突触可塑性报道时间线
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10月16日
- arXiv · Materials ScienceSe/ZnMgO薄膜光电二极管实现波长选择性双向视觉突触可塑性
研究团队报告Se/ZnMgO薄膜光电二极管在零偏压下以光电流写入并读出突触权重，光子能量决定变化方向：在相同光子通量下，365 nm脉冲使光电流增加38%，455 nm脉冲使其降低，高光子通量下降低幅度达到30%，每个分支最多可区分19个状态。基于实测权重更新的网络在无噪声和有噪声条件下的手写数字识别准确率分别为89%和85%，低于浮点权重的97.5%。
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