EuSe薄膜毫开尔文磁振子阻尼表征
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EuSe薄膜毫开尔文磁振子阻尼表征
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AI 综述
Andrii V. Chumak 等研究者发表了对生长于 BaF₂ 上的 EuSe 外延薄膜的磁振子损耗表征，用磁学测量和宽带铁磁共振覆盖 10 K 至 30 mK。在 30 mK、68 GHz 和 1.8 T 条件下，线宽达到 5.5 mT，接近体单晶数值，对应 2 ns 的磁振子寿命和吉尔伯特阻尼参数 1.1×10⁻³ 的上限。 测量还显示，磁场取向排列下薄膜的线宽随频率和磁场增大而减小，并在 750 mK 以下不再依赖温度。这项工作表明 EuSe 薄膜的低温磁振子阻尼可低至接近体单晶水平。
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最新进展10月16日 12:00
EuSe 薄膜在毫开尔文温度下实现低磁振子阻尼报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月16日
- arXiv · Materials ScienceEuSe 薄膜在毫开尔文温度下实现低磁振子阻尼
作者研究了生长于 BaF₂ 上的 EuSe 外延薄膜，在 10 K 至 30 mK 范围通过磁学和宽带铁磁共振测量其磁振子损耗。
本事件热度走势
- 可比范围当前
- 4
- 可比范围峰值
- 1010月16日 13:00
- 近 24 小时变化
- -51%
02.557.510
18:0010月17日06:0012:00
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