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机器学习势辅助预测AS-ALD抑制剂覆盖率计算流程

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AI 综述

Gijin Kim、Seungwu Han、Youngho Kang发布论文预印本,提出一种结合预训练通用机器学习原子间势、离位点系综蒙特卡洛模拟和表面反应分析的计算流程,用于研究非晶SiO2上区域选择性原子层沉积(AS-ALD)的抑制物吸附与前驱体 blocking。 基于论文摘要,模拟显示硅醇基是氨基硅烷及相关抑制物和金属前驱体的主要吸附位点;即使抑制物产生相同的吸附碎片,完整分子的空间位阻不同也会导致不同覆盖率。摘要还指出,吸附抑制物碎片与前驱体的反应性会进一步影响抑制物稳定性和阻塞性能。

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报道时间线

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10月19日
  1. arXiv · Materials Science
    机器学习势函数辅助研究非晶SiO2上区域选择性原子层沉积的抑制物覆盖

    研究人员提出一种结合预训练通用机器学习原子间势、离位点系综蒙特卡洛模拟和表面反应分析的计算流程,用于研究非晶SiO2上的区域选择性原子层沉积。基于论文摘要,模拟显示,硅醇基是氨基硅烷及相关抑制物和金属前驱体的主要吸附位点;即使抑制物产生相同的吸附碎片,完整分子的空间位阻不同也会导致不同覆盖率。摘要还指出,吸附抑制物碎片与前驱体的反应性会进一步影响抑制物稳定性和阻塞性能。

本事件热度走势

可比范围当前
4
可比范围峰值
910月19日 16:00
近 24 小时变化
-50%

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