理论筛选：GaS/GaSe单层缺陷单光子发射候选研究

1. 12:00
   arXiv · Materials Science

   单层 GaS 与 GaSe 中单光子发射缺陷候选者的理论研究

   一项基于二维材料各向异性屏蔽交换泛函的研究，分析了单层 GaS 和 GaSe 中本征空位与替代缺陷的自旋分辨电子结构。通过缺陷态能量分类、空间分辨投影和部分电荷密度，评估这些缺陷对带隙内电子结构的影响及其用于缺陷型单光子发射的潜力。结果指出镓空位、尤其是 GaS 中的镓空位，是单光子发射的候选者。

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。