二维磁性异质结构谷分裂可辨识性框架

论文作者建立并演示了经典偏微分方程约束的多尺度伴随状态逆框架，用于评估二维磁性异质结构中应变可调谷分裂在器件层面的可辨识性，并在二硫化钼/三溴化铬体系上验证了框架可行性。 基于论文摘要，DFT得到的耦合参数η约为−0.07 meV，但95%置信区间与零相容，不能视为已确认的非零材料属性。结合热噪声与速度饱和限制，研究给出的262.0至22,337.6 V/cm区间是用于判断可辨识性的安全工作窗口，而非材料耦合效应已获实验证实。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。