室温电信C波段单铒离子长相干与上转换单光子发射

研究人员在arXiv论文（arXiv:2601.11879v3，摘要）中提出一种兼容CMOS的硅基纳米工程方法，用亚5纳米空心纳米柱在纳米尺度内确定性控制铒离子数量及其电磁环境，实现可单独寻址的单铒离子器件。 作者称器件在室温电信C波段实现创纪录的光学相干时间：T2*为32微秒、T2超过100微秒，并首次展示无背景抑制、基于上转换的多能级铒离子（qudit）单光子发射，提供高对比度相干光学读出。结果基于论文摘要，属作者声称，尚无独立复现报道。

AI 根据报道生成 · 55 分钟前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。