arXiv · quant-ph· J. Christiansen-Salameh, D. J. Temples, R. Linehan, S. Sussman, Aloyse Maille, F. Abouzahr, L. Alexis, K. Anyang, D. Bowring, G. Bratrud, E. Celi, A. H. Col\'on Cesan\'i, R. Khatiwada, D. Molenaar, O. Peek, A. Rodriguez, O. Seidel, D. Schlom, D. Sotir, S. Uemura, Y. Wu, E. Figueroa-Feliciano, D. Baxter, Z. Tian·· 5 小时前
超导谐振器在少层外延 hBN 薄膜上的 TLS 损耗研究
TLS loss in superconducting resonators on epitaxial hBN thin films
arXiv:2610.12556v1阅读论文 PDF ↗
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作者:J. Christiansen-Salameh, D. J. Temples, R. Linehan, S. Sussman, Aloyse Maille, F. Abouzahr, L. Alexis, K. Anyang, D. Bowring, G. Bratrud, E. Celi, A. H. Col\'on Cesan\'i, R. Khatiwada, D. Molenaar, O. Peek, A. Rodriguez, O. Seidel, D. Schlom, D. Sotir, S. Uemura, Y. Wu, E. Figueroa-Feliciano, D. Baxter, Z. Tian
研究任务与主要进展
研究团队在蓝宝石基底上生长的少层分子束外延六方氮化硼(hBN)薄膜上制备铌超导谐振器,并与无 hBN 的对照器件进行比较。通过射频测量功率、温度和时间涨落响应,集成 hBN 的谐振器保持低介质损耗,低功率内损耗因子约为 ,且品质因子仅有轻微下降。作者将这一结果视为利用二维材料热性质抑制声子介导相关误差的初步步骤。
阶段、条件与复现 · 深读核对
- 处于计划、宣布、开放、交付还是实测阶段?
- 门、读出、互连与系统能力的指标如何定义?
- 访问条件、扩展瓶颈和独立验证材料是什么?
这些是阅读核对问题;材料未说明的条件保留未知。请结合上方论文版本、资料范围与原文核验。
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