外延hBN上铌超导谐振器实现约10^-6低TLS损耗

1. 12:00
   arXiv · quant-ph

   超导谐振器在少层外延 hBN 薄膜上的 TLS 损耗研究

   研究团队在蓝宝石基底上生长的少层分子束外延六方氮化硼（hBN）薄膜上制备铌超导谐振器，并与无 hBN 的对照器件进行比较。通过射频测量功率、温度和时间涨落响应，集成 hBN 的谐振器保持低介质损耗，低功率内损耗因子约为 $10^{-6}$，且品质因子仅有轻微下降。作者将这一结果视为利用二维材料热性质抑制声子介导相关误差的初步步骤。

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