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arXiv · quant-ph· L. Richard, N. Bruckmoser, J. Feigl, D. Bunch, A. Bhattacharjee, L. Koch, I. Tsitsilin, V. P. Bader, H. Hu, L. S\"odergren, S. Filipp·· 7 小时前

不对称铟架构与多角度压合实现超导量子电路的精确间距控制

Accurate gap control of 3D-integrated superconducting quantum circuits using asymmetric indium architecture and multi-angle flip-chip bonding

arXiv:2610.21435v1阅读论文 PDF ↗

仅依据论文摘要整理;未读取全文,实验条件、证明与基准细节请核对原文。

作者:L. Richard, N. Bruckmoser, J. Feigl, D. Bunch, A. Bhattacharjee, L. Koch, I. Tsitsilin, V. P. Bader, H. Hu, L. S\"odergren, S. Filipp

研究任务与主要进展

基于论文摘要,研究人员提出不对称铟架构与多角度压合的3D翻转芯片键合工艺,在控制芯片使用20 μm厚铟凸点、在量子比特芯片使用200 nm薄铟焊盘。实验测得铟互连具有低电阻和低损耗,集成transmon qubit的T1为(159±14) μs、T2,echo为(294±42) μs,平均键合后倾斜降至(20±12) μrad。

阶段、条件与复现 · 深读核对

  • 处于计划、宣布、开放、交付还是实测阶段?
  • 门、读出、互连与系统能力的指标如何定义?
  • 访问条件、扩展瓶颈和独立验证材料是什么?

这些是阅读核对问题;材料未说明的条件保留未知。请结合上方论文版本、资料范围与原文核验。

来源:arXiv · quant-ph · arxiv.org