不对称铟架构与多角度压合实现3D集成超导量子比特
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不对称铟架构与多角度压合实现3D集成超导量子比特
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AI 综述
研究人员（L. Richard 等）提出一种用于3D翻转芯片键合的不对称铟架构：控制芯片使用20 μm厚铟凸点，量子比特芯片使用200 nm薄铟焊盘，配合多角度压合实现超导量子电路的精确间距控制。基于论文摘要，实验测得铟互连具有低电阻和低损耗，集成transmon量子比特的T1为(159±14) μs、T2,echo为(294±42) μs，与平面器件相当；键合后平均倾斜降至(20±12) μrad。
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最新进展10月16日 12:00
不对称铟架构与多角度压合实现超导量子电路的精确间距控制报道时间线
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10月16日
- arXiv · quant-ph不对称铟架构与多角度压合实现超导量子电路的精确间距控制
基于论文摘要，研究人员提出不对称铟架构与多角度压合的3D翻转芯片键合工艺，在控制芯片使用20 μm厚铟凸点、在量子比特芯片使用200 nm薄铟焊盘。实验测得铟互连具有低电阻和低损耗，集成transmon qubit的T1为(159±14) μs、T2,echo为(294±42) μs，平均键合后倾斜降至(20±12) μrad。
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