4D-STEM研究：非晶GST成核始于GST-氧化物界面

Mridul Kumar、Kirill Sobolev、Alexander Upcher 与 Yevgeny Rakita 在 arXiv 发布论文，对磁控溅射非晶 Ge-Sb-Te（GST）薄膜进行六次连续 4D-STEM 扫描（同步采集 HAADF 与 EDS，范围限于 GST 层及其与下方氧化物的界面），发现成核位置始于 GST-氧化物界面。 研究称，成核位置在成分与数量密度上并无差异，但核像素在 4D-STEM 最大强度虚像中显著突出（中位 z=11.0，HAADF 仅 1.3），并伴随电子束驱动的有序化。所有分析使用该工作自建的交互式 4D-STEM 分析环境 PySTEMLab 完成。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。