arXiv · Materials Science· Mridul Kumar, Kirill Sobolev, Alexander Upcher, Yevgeny Rakita·· 11 小时前
4D-STEM 系列扫描揭示非晶 Ge-Sb-Te 成核始于 GST-氧化物界面
Nucleation at the GST--oxide interface and beam-driven ordering in amorphous Ge--Sb--Te: HAADF, EDS and electron pair distribution functions across a 4D-STEM dose series
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作者：Mridul Kumar, Kirill Sobolev, Alexander Upcher, Yevgeny Rakita
研究任务与主要进展
一项对磁控溅射 Ge-Sb-Te 薄膜的六次连续 4D-STEM 扫描（同步 HAADF 与 EDS）研究发现，成核位置在成分与数量密度上并无差异，核像素在 4D-STEM 最大强度虚像中显著突出（中位 z=11.0，HAADF 仅 1.3）。
阶段、条件与复现 · 深读核对
- 新能力对应什么具体任务与最小输入输出？
- 代码、模型、数据、许可与可用入口是否明确？
- 效果、总成本、失效条件与实际工作流如何验证？
这些是阅读核对问题；材料未说明的条件保留未知。请结合上方论文版本、资料范围与原文核验。
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