熔融石英离子阱芯片实现无空洞玻璃通孔集成

Iseke 等德国研究团队报告在熔融石英衬底上制造出集成无空洞玻璃通孔（TGV）的多层表面电极离子阱，作者称这是首个实现该集成的熔融石英多层表面电极离子陷阱。 TGV 孔用选择性激光诱导刻蚀形成，采用专利申请中的几何辅助自底向上电镀方法，用恒流金电镀实现无空洞填充，无需电解液添加剂或脉冲沉积。多片晶圆的电学表征测得 TGV 级良率超过 98.8%，中介层与芯片经热压键合集成。 以上基于论文摘要，文中未说明在离子阱上加载离子的实验结果。

AI 根据报道生成 · 3 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。