测量显示LiNbO3与AlN毫开尔文微波损耗主要来自表面

Alessandro Reineri 等在arXiv发布论文（本概述基于论文摘要），测量了单晶块体铌酸锂（LiNbO3）和氮化铝（AlN）在毫开尔文至1 K以上温度、低至单光子功率下的微波介电损耗。结果显示两种材料均存在TLS行为，TLS引起的耗散主要定位于表面而非体内本征性质。 摘要称压电相关损耗被排除，并由室温3D XPS和飞行时间SIMS分析支持；作者据此称与高效微波-光转换兼容的微波品质因子在可及范围内。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。